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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
2,909.8
19.2
写入速度,GB/s
1,519.2
13.9
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3341
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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