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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
2,909.8
17.7
写入速度,GB/s
1,519.2
13.6
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3483
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
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