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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
2,909.8
13.6
写入速度,GB/s
1,519.2
9.6
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2227
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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