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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
60
左右 -140% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
25
读取速度,GB/s
4,595.2
13.4
写入速度,GB/s
2,168.2
6.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2045
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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