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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905702-121.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
73
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
73
读取速度,GB/s
4,595.2
15.4
写入速度,GB/s
2,168.2
8.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1893
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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