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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,806.8
18.0
写入速度,GB/s
2,784.6
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2960
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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