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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
65
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.6
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
44
读取速度,GB/s
4,806.8
8.5
写入速度,GB/s
2,784.6
5.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
1660
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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