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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 -160% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
25
读取速度,GB/s
4,806.8
14.1
写入速度,GB/s
2,784.6
9.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2450
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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