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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
65
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
32
读取速度,GB/s
4,806.8
17.7
写入速度,GB/s
2,784.6
11.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2853
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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