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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
17.4
写入速度,GB/s
2,622.0
14.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3048
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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