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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
14.8
写入速度,GB/s
2,622.0
10.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2849
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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