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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
18.8
写入速度,GB/s
2,622.0
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3765
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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