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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
3,405.2
16.3
写入速度,GB/s
2,622.0
13.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2850
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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