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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
16.8
写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3239
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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