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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.6
15.7
写入速度,GB/s
12.0
13.3
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3159
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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