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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
33
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
18
读取速度,GB/s
17.6
20.3
写入速度,GB/s
12.0
17.8
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3507
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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