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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
41
读取速度,GB/s
17.6
15.4
写入速度,GB/s
12.0
10.8
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2993
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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