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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
15.8
12.3
写入速度,GB/s
11.8
13.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2689
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 64T256800EU2.OC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
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