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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
13.3
16.6
写入速度,GB/s
8.5
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3477
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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