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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
94
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
94
读取速度,GB/s
13.3
13.2
写入速度,GB/s
8.5
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
1390
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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