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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
60
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
60
读取速度,GB/s
13.3
15.3
写入速度,GB/s
8.5
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2359
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB RAM的比较
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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