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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.3
15.6
写入速度,GB/s
8.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2791
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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