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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
19.0
写入速度,GB/s
8.0
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3655
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
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