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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
33
读取速度,GB/s
13.4
19.7
写入速度,GB/s
8.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3401
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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