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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
37
读取速度,GB/s
13.4
15.2
写入速度,GB/s
8.0
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2863
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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