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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 27
    左右 15% 更低的延时
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB 需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.6 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.0 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 19.6
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 16.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 3909

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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