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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.4
13.0
写入速度,GB/s
8.0
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2594
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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