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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
13.4
写入速度,GB/s
8.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2466
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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