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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
35
读取速度,GB/s
13.4
15.1
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2631
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Jinyu 16GB
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