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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
比较
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
总分
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
总分
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
13.9
19.4
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3628
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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