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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
37
51
读取速度,GB/s
13.2
10.2
写入速度,GB/s
8.4
7.6
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2049
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM的比较
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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