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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
16.9
写入速度,GB/s
7.5
11.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3132
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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