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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
16.3
写入速度,GB/s
7.5
10.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2942
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
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Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5403-160.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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