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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
17.4
写入速度,GB/s
7.5
13.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3302
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-075.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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