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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
14.8
写入速度,GB/s
7.5
11.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2588
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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