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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
46
读取速度,GB/s
12.7
12.5
写入速度,GB/s
7.5
10.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2325
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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