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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.7
16.9
写入速度,GB/s
7.5
13.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3141
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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