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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
46
读取速度,GB/s
12.7
15.9
写入速度,GB/s
7.5
9.8
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2632
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
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