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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB 需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 28
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 8500
    左右 3.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3692

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
内存RAM