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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
26
读取速度,GB/s
14.4
14.8
写入速度,GB/s
9.5
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2849
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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