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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
43
读取速度,GB/s
14.4
13.2
写入速度,GB/s
9.5
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3257
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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