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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 35
    左右 -17% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    22 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.8 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 22.0
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 16.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 3830

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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内存RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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