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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
14.4
10.0
写入速度,GB/s
9.5
6.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1878
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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