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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
39
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
23
读取速度,GB/s
11.7
16.4
写入速度,GB/s
7.2
13.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2904
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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