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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
11.7
18.1
写入速度,GB/s
7.2
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3672
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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