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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,387.7
15.5
写入速度,GB/s
1,813.5
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3198
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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