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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
37
读取速度,GB/s
4,387.7
15.4
写入速度,GB/s
1,813.5
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2321
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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