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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
50
52
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
50
读取速度,GB/s
9.7
17.2
写入速度,GB/s
7.2
13.1
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3277
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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