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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
9.7
20.3
写入速度,GB/s
7.2
18.2
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3738
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
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