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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
52
左右 -148% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
21
读取速度,GB/s
9.7
19.1
写入速度,GB/s
7.2
14.5
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3427
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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